尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    MJD50GMJD31CG 的区别

    MJD50G

    制造商:ON

    最优价格:¥2.58680

    查看详情 查看数据资料

    MJD31CG

    制造商:ON

    最优价格:¥6.40321

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    跃迁频率10MHz3MHz
    DC电流增益(hFE)30@300mA,10V10~50
    安装类型SMTSMT
    包装管件 Tube packing
    Vce饱和压降1V1.2V
    晶体管类型NPNNPN
    工作温度-65℃~+150℃-65℃~+150℃
    封装/外壳TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    集射极击穿电压Vce(Max)400V100V
    集电极电流 Ic1A3A
    系列--
    功率耗散1.56W1.56W
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))1V@1A,200mA100V
    制造商标准提前期2 周22 周
    集电极截止电流 (Icbo)200µA50µA
    额定功率1.56W1.56W
    特征频率(fT)10MHz3MHz
    高度2.28mm2.28mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)
    长x宽/尺寸6.54 x 6.10mm6.73 x 6.22mm
    引脚数3Pin3Pin
    是否无铅YesYes
    零件状态ActiveActive
    配置-单路
    集电极-基极电压(VCBO)-100V
    极性-NPN
    品牌-ON
    脚间距-4.58mm
    印字代码-J31CG
    最小包装-75pcs
    元件生命周期-Active
    原产国家-America
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.
    存储温度--65℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V
    加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照