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MJD31CG 与
的区别
制造商：ON 最优价格：￥6.40321 查看详情 查看数据资料 | ||||
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tube packing | |||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |||
| 安装类型 | SMT | |||
| Vce饱和压降 | 1.2V | |||
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 100V | |||
| 晶体管类型 | NPN | |||
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |||
| 配置 | 单路 | |||
| 跃迁频率 | 3MHz | |||
| DC电流增益(hFE) | 10~50 | |||
| 品牌 | ON | |||
| 脚间距 | 4.58mm | |||
| 引脚数 | 3Pin | |||
| 制造商标准提前期 | 22 周 | |||
| 特征频率(fT) | 3MHz | |||
| 印字代码 | J31CG | |||
| 最小包装 | 75pcs | |||
| 额定功率 | 1.56W | |||
| 原产国家 | America | |||
| 元件生命周期 | Active | |||
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | |||
| 是否无铅 | Yes | |||
| 高度 | 2.28mm | |||
| 长x宽/尺寸 | 6.73 x 6.22mm | |||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |||
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | |||
| 功率耗散 | 1.56W | |||
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 5V | |||
| 集电极截止电流 (Icbo) | 50µA | |||
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 100V | |||
| 零件状态 | Active | |||
| 集电极电流 Ic | 3A | |||
| 系列 | - | |||
| 集电极-基极电压（VCBO） | 100V | |||
| 极性 | NPN | |||
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