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IRFS4310ZTRLPBF 与
MMBTA56-7-F、MMBTA56-TP、MMBTA56LT1G 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥23.55980 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.25411 查看详情 查看数据资料 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.10735 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.22716 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | - |
| 封装/外壳 | TO-263AB（D²PAK） | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 漏源电流(Idss) | 120A | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | - |
| 配置 | 单路 | - | - | 单路 |
| 阈值电压 | 4V@150µA | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 127A | - | - | - |
| 晶体管类型 | N沟道 | PNP | PNP | PNP |
| 长x宽/尺寸 | 11.30 x 10.67mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm |
| 高度 | 4.83mm | 1.00mm | 1.10mm | 1.11mm |
| 系列 | HEXFET® | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 制造商标准提前期 | 14 周 | - | 8 周 | 4 周 |
| 最小包装 | 800pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 原产国家 | Germany | - | - | America |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | - | - | ON Semiconductor |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 品牌 | Infineon | DIODES | MCC | ON |
| 额定功率 | 250W | 300mW | 225mW | 225mW |
| 极性 | N-沟道 | PNP | PNP | PNP |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,75A | - | - | - |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 输入电容 | 6.86nF@50V | - | - | - |
| 击穿电压 | 100V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 220pF | - | - | - |
| 充电电量 | 120nC | - | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 功率耗散 | 250W | 300mW | 225mW | 225mW |
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | - | - | -55℃~+150℃ |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 跃迁频率 | - | 50MHz | 50MHz | 50MHz |
| DC电流增益(hFE) | - | 100 | 100 | 100 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 80V | 80V | 80V |
| Vce饱和压降 | - | 250mV | 250mV | 250mV |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 100nA | 100nA | 100nA |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 80V | 250mV@100mA,10mA | 80V |
| 集电极电流 Ic | - | 500mA | 500mA | 500mA |
| 特征频率(fT) | - | 50MHz | 50MHz | 50MHz |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | - | 4V |
| 印字代码 | - | - | - | 2GM |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | - | - | 80V |
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