TFM-105-02-S-D-P-TRZXMN6A08GTA、NTF3055L108T1G、NTF3055-100T1G 的区别

    TFM-105-02-S-D-P-TR

    制造商:Samtec

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    ZXMN6A08GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.97839

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    NTF3055L108T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥3.00800

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    NTF3055-100T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥2.82250

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    ECCN编码
    脚间距----
    针脚数----
    封装/外壳SMD,P=1.27mmTO261-4SOT-223SOT-223
    排距1.27mm---
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃
    触头镀层---
    触头材料磷青铜---
    排数双排---
    安装类型立贴SMTSMTSMT
    长x宽/尺寸--6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm
    高度--1.75mm1.63mm
    Vgs(Max)-±20V±15V±20V
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    连续漏极电流-3.8A3A3A
    阈值电压-1V@250µA1V4V@250µA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅-YesYesYes
    制造商标准提前期-10 周34 周27 周
    系列----
    功率耗散-2W2.1W2.1W
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5V10V
    额定功率-2W1.3W1.3W
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-80mΩ@4.8A,10V120mΩ@5V,1.5A110mΩ@10V,1.5A
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-459pF440pF@25V455pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)--
    漏极电流--3A-
    配置--单路单路
    引脚数--4Pin4Pin
    最小包装--1000pcs1000pcs
    原始制造商--ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    印字代码--AYW 3055L= =AWW 3055= =
    原产国家--AmericaAmerica
    认证信息--RoHSRoHS
    元件生命周期--ActiveActive
    品牌--ONON
    击穿电压--60V60V
    栅极源极击穿电压--±15V±20V
    反向传输电容Crss--40pF110pF
    充电电量--7.6nC10.6nC
    存储温度---55℃~+175℃-55℃~+150℃
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