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    TFM-105-02-S-D-P-TRZXMN6A11GTA、ZXMN7A11GTA、ZXMN6A08GTA 的区别

    TFM-105-02-S-D-P-TR

    制造商:Samtec

    最优价格:¥15.57360

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    ZXMN6A11GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.82960

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    ZXMN7A11GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.99160

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    ZXMN6A08GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:

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    ECCN编码
    针脚数----
    封装/外壳SMD,P=1.27mmSOT-223TO261-4TO261-4
    排距1.27mm---
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    触头镀层---
    触头材料磷青铜---
    排数双排---
    安装类型立贴SMTSMTSMT
    脚间距----
    长x宽/尺寸-6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm-
    高度-1.70mm1.60mm-
    包装-Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    阈值电压-3V@250µA1V@250µA1V@250µA
    栅极电荷(Qg)-5.7nC--
    漏源电压(Vdss)-60V70V60V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-4.4A2.7A3.8A
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    制造商标准提前期-10 周10 周10 周
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    品牌-DIODES--
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容-330pF@40V298pF459pF
    引脚数-3Pin4Pin-
    是否无铅-YesYesYes
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    额定功率-2W2W2W
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-120mΩ@10V,2.5A130mΩ@10V,4.4A80mΩ@4.8A,10V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    功率耗散-2W2W2W
    最小包装-1000pcs--
    系列----
    零件状态-ActiveActiveActive
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