尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    HFB3SI2302 的区别

    HFB3

    制造商:TE

    最优价格:¥128.70022

    查看详情 查看数据资料

    SI2302

    制造商:MDD

    最优价格:¥0.08948

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    高度36.10mm1.40mm
    包装-Tape/reel
    漏源电压(Vdss)-20V
    封装/外壳-SOT-23
    连续漏极电流-3A
    Vgs(Max)-±10V
    工作温度--50℃~+150℃
    安装类型-SMT
    栅极电荷(Qg)-4.7nC
    是否无铅-No
    充电电量-4.7nC
    引脚数-3Pin
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-32mΩ
    品牌-MDD
    栅极源极击穿电压-±10V
    额定功率-1.2W
    功率耗散-1.2W
    最小包装-3000pcs
    长x宽/尺寸-3.10 x 1.60mm
    极性-N-沟道
    输入电容-280pF
    零件状态-Active
    加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照