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2829489-1 与
ZXMN7A11GTA、ZXMN6A08GTA、NTF3055L108T1G 的区别
制造商：TE 最优价格：￥393.93156 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.99160 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥3.00800 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 原始制造商 | TE Connectivity AMP Connectors | - | - | ON Semiconductor Inc. |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 封装/外壳 | - | TO261-4 | TO261-4 | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃(TJ) |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±15V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 70V | 60V | 60V |
| 连续漏极电流 | - | 2.7A | 3.8A | 3A |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | - | 1V@250µA | 1V@250µA | 1V |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 高度 | - | 1.60mm | - | 1.75mm |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 制造商标准提前期 | - | 10 周 | 10 周 | 34 周 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 5V |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 功率耗散 | - | 2W | 2W | 2.1W |
| 额定功率 | - | 2W | 2W | 1.3W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 130mΩ@10V,4.4A | 80mΩ@4.8A,10V | 120mΩ@5V,1.5A |
| 输入电容 | - | 298pF | 459pF | 440pF@25V |
| 引脚数 | - | 4Pin | - | 4Pin |
| 长x宽/尺寸 | - | 6.50 x 3.50mm | - | 6.50 x 3.50mm |
| 漏极电流 | - | - | - | 3A |
| 配置 | - | - | - | 单路 |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | - | ±15V |
| 反向传输电容Crss | - | - | - | 40pF |
| 充电电量 | - | - | - | 7.6nC |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+175℃ |
| 最小包装 | - | - | - | 1000pcs |
| 印字代码 | - | - | - | AYW 3055L= = |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
| 原产国家 | - | - | - | America |
| 元件生命周期 | - | - | - | Active |
| 品牌 | - | - | - | ON |
| 击穿电压 | - | - | - | 60V |
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