5223955-2NTF3055-100T1G、ZXMN6A11GTA、ZXMN7A11GTA 的区别

    5223955-2

    制造商:TE

    最优价格:¥29.07377

    查看详情 查看数据资料

    NTF3055-100T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥2.82250

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN6A11GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥3.08880

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN7A11GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥3.33720

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    排数单排---
    额定电流----
    安装类型通孔SMTSMTSMT
    触头镀层厚度----
    材料可燃性等级UL94V-0---
    端接压配式---
    连接器类型插座,母型刀片插口---
    特性----
    针脚数3Pin---
    封装/外壳ModuleSOT-223SOT-223TO261-4
    触头镀层金或金-钯---
    脚间距----
    包装管件 Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    额定电压250V---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    触头布局(典型)3电源---
    系列UPM(通用电源模块)---
    高度12.15mm1.63mm1.70mm1.60mm
    连接器用途背板---
    长x宽/尺寸9.50 x 11.35mm6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm
    制造商标准提前期14 周27 周10 周10 周
    列数----
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    颜色灰色---
    FET功能----
    配置-单路--
    漏源电压(Vdss)-60V60V70V
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-3A4.4A2.7A
    阈值电压-4V@250µA3V@250µA1V@250µA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    是否无铅-YesYesYes
    原始制造商-ON Semiconductor--
    击穿电压-60V--
    原产国家-America--
    栅极源极击穿电压-±20V--
    反向传输电容Crss-110pF--
    充电电量-10.6nC--
    技术路线--MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-2.1W2W2W
    存储温度--55℃~+150℃--
    引脚数-4Pin3Pin4Pin
    最小包装-1000pcs1000pcs-
    印字代码-AWW 3055= =--
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V4.5V,10V4.5V,10V
    认证信息-RoHS--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-110mΩ@10V,1.5A120mΩ@10V,2.5A130mΩ@10V,4.4A
    元件生命周期-Active--
    输入电容-455pF330pF@40V298pF
    品牌-ONDIODES-
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率-1.3W2W2W
    栅极电荷(Qg)--5.7nC-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照