尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    5223955-2ZXMN6A08GTA、NTF3055L108T1G、NTF3055-100T1G 的区别

    5223955-2

    制造商:TE

    最优价格:¥29.07377

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN6A08GTA

    制造商:DIODES

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    NTF3055L108T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥3.00800

    查看详情 查看数据资料

    NTF3055-100T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥2.82250

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    针脚数3Pin---
    封装/外壳ModuleTO261-4SOT-223SOT-223
    触头镀层金或金-钯---
    脚间距----
    包装管件 剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃
    额定电压250V---
    排数单排---
    额定电流----
    安装类型通孔SMTSMTSMT
    触头镀层厚度----
    材料可燃性等级UL94V-0---
    端接压配式---
    连接器类型插座,母型刀片插口---
    特性----
    长x宽/尺寸9.50 x 11.35mm-6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm
    制造商标准提前期14 周10 周34 周27 周
    列数----
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    触头布局(典型)3电源---
    系列UPM(通用电源模块)---
    高度12.15mm-1.75mm1.63mm
    连接器用途背板---
    颜色灰色---
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    连续漏极电流-3.8A3A3A
    阈值电压-1V@250µA1V4V@250µA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±15V±20V
    是否无铅-YesYesYes
    功率耗散-2W2.1W2.1W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5V10V
    额定功率-2W1.3W1.3W
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-80mΩ@4.8A,10V120mΩ@5V,1.5A110mΩ@10V,1.5A
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-459pF440pF@25V455pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)--
    漏极电流--3A-
    配置--单路单路
    最小包装--1000pcs1000pcs
    原始制造商--ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    印字代码--AYW 3055L= =AWW 3055= =
    原产国家--AmericaAmerica
    认证信息--RoHSRoHS
    元件生命周期--ActiveActive
    品牌--ONON
    击穿电压--60V60V
    栅极源极击穿电压--±15V±20V
    反向传输电容Crss--40pF110pF
    充电电量--7.6nC10.6nC
    存储温度---55℃~+175℃-55℃~+150℃
    引脚数--4Pin4Pin
    加入购物车加入购物车询价加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照