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41412 与
SI3456DDV-T1-GE3、AO6400、VB7322 的区别
制造商：TE 最优价格：￥0.60907 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.78546 查看详情 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.74099 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 特性 | - | - | - | - |
| 端子类型 | 标准 | - | - | - |
| 端接 | 压接 | - | - | - |
| 线规或范围-mm² | 14-18AWG | - | - | - |
| 绝缘 | 非绝缘 | - | - | - |
| 绝缘层直径 | 0.120"~0.170"（3.05mm~4.32mm） | - | - | - |
| 公母 | 公头 | - | - | - |
| 触头材料 | 黄铜 | - | - | - |
| 触头镀层 | 锡 | - | - | - |
| 凸片宽度 | 0.250"（6.35mm） | - | - | - |
| 长度 | 19.69mm | - | - | - |
| 凸片长度 | 0.312"（7.92mm） | - | - | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel |
| 安装类型 | 自由悬挂 | SMT | SMT | SMT |
| 系列 | Faston | TrenchFET® | - | - |
| 凸片厚度 | 0.032"（0.81mm） | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 制造商标准提前期 | 3 周 | 15 周 | 16 周 | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | - |
| 颜色 | - | - | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 6.3A | 6.9A | 5.5A |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| 封装/外壳 | - | TSOP-6 | TSOP-6 | TSOP-6 |
| 漏极电流 | - | 6.3A | - | 6A |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±12V | ±20V |
| 配置 | - | 单路 | - | 单路 |
| 阈值电压 | - | 3V@250µA | 1.4V@250μA | 1.5V@250µA |
| 充电电量 | - | 6nC | - | 4.2nC |
| 功率耗散 | - | 1.7W | 2W | 1.3W |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | - | 3000pcs |
| 原始制造商 | - | Vishay Intertechnology, Inc. | - | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 原产国家 | - | America | - | China Taiwan |
| 长x宽/尺寸 | - | 3.05 x 1.65mm | 2.90 x 1.60mm | 3.05 x 1.65mm |
| 高度 | - | 1.00mm | 1.10mm | 1.10mm |
| 引脚数 | - | 6Pin | 6Pin | 6Pin |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 品牌 | - | Vishay | - | VBsemi |
| 脚间距 | - | 1mm | - | - |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 40mΩ@10V,5A | 28mΩ@6.9A,10V | 27mΩ |
| 额定功率 | - | 2.7W | 2W | - |
| 输入电容 | - | 325pF | 1.03nF@15V | 424pF |
| 击穿电压 | - | 30V | - | 30V |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | - | ±20V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 2.5V，10V | - |
| 反向传输电容Crss | - | 30pF | - | 42pF |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | 13nC |
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