SPW17N80C3 与
SG3524N 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | PDIP16 | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 0℃~+70℃ | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 配置 | 单路 | - | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| 连续漏极电流 | 17A | - | ||
| 安装类型 | 插件 | 插件 | ||
| 栅极电荷(Qg) | 177nC | - | ||
| 包装 | Tube packing | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 800V | - | ||
| 阈值电压 | 3.9V@1mA | - | ||
| 输入电容 | 2.32nF@25V | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 15.86 x 5.03mm | 19.00 x 6.00mm | ||
| 高度 | 20.96mm | 5.08mm | ||
| 引脚数 | 3Pin | 16Pin | ||
| 最小包装 | 30pcs | 25pcs | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 原产国家 | Germany | - | ||
| 认证信息 | RoHS | RoHS | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 系列 | CoolMOS™ | - | ||
| 功率耗散 | 227W | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 脚间距 | 5.44mm | 2.54mm | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 额定功率 | 227W | - | ||
| 制造商标准提前期 | 8 周 | - | ||
| 品牌 | Infineon | TI | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,11A | - | ||
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | - | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 击穿电压 | 800V | - | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | ||
| 工作电压 | - | 8V~40V | ||
| 开关频率 | - | 450KHz | ||
| 输出相位 | - | 1 | ||
| 输出配置 | - | Positive, Isolation Capable | ||
| 时钟同步 | - | NO | ||
| 输出类型 | - | 晶体管驱动器 | ||
| 拓扑结构 | - | 降压,升压,反激,正激转换器,全桥,半桥,推挽 | ||
| 输出电流 | - | 100mA | ||
| 同步整流 | - | 否 | ||
| 功能 | - | 升压,降压,升压/降压 | ||
| 输出通道数 | - | 2 | ||
| 控制特性 | - | 限流,频率控制 | ||
| 印字代码 | - | SG3524N | ||
| 电源电压 | - | 8V~40V | ||
| 占空比 | - | 45% | ||
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