购物车
上传BOM
ZXMN7A11GTA 与
ZXMN6A08GTA、NTF3055L108T1G 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥2.99160 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥3.00800 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 1V@250µA | 1V@250µA | 1V | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | TO261-4 | TO261-4 | SOT-223 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+175℃(TJ) | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | 60V | 60V | |
| 连续漏极电流 | 2.7A | 3.8A | 3A | |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 5V | |
| 制造商标准提前期 | 10 周 | 10 周 | 34 周 | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 额定功率 | 2W | 2W | 1.3W | |
| 功率耗散 | 2W | 2W | 2.1W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@10V,4.4A | 80mΩ@4.8A,10V | 120mΩ@5V,1.5A | |
| 引脚数 | 4Pin | - | 4Pin | |
| 输入电容 | 298pF | 459pF | 440pF@25V | |
| 长x宽/尺寸 | 6.50 x 3.50mm | - | 6.50 x 3.50mm | |
| 高度 | 1.60mm | - | 1.75mm | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 系列 | - | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 漏极电流 | - | - | 3A | |
| 配置 | - | - | 单路 | |
| 原始制造商 | - | - | ON Semiconductor Inc. | |
| 印字代码 | - | - | AYW 3055L= = | |
| 原产国家 | - | - | America | |
| 认证信息 | - | - | RoHS | |
| 元件生命周期 | - | - | Active | |
| 品牌 | - | - | ON | |
| 击穿电压 | - | - | 60V | |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±15V | |
| 反向传输电容Crss | - | - | 40pF | |
| 充电电量 | - | - | 7.6nC | |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+175℃ | |
| 最小包装 | - | - | 1000pcs | |
| 加入购物车 | 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监