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    US1MHM3_A/HNTF3055L108T1G、NTF3055-100T1G、ZXMN6A11GTA 的区别

    US1MHM3_A/H

    制造商:Vishay

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    NTF3055L108T1G

    制造商:ON

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    NTF3055-100T1G

    制造商:ON

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    ZXMN6A11GTA

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    正向压降VF1.7V---
    反向耐压VR1KV---
    封装/外壳DO-214ACSOT-223SOT-223SOT-223
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)75ns---
    速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR10µA---
    平均整流电流1A---
    反向峰值电压(最大值)1KV---
    长x宽/尺寸4.25 x 2.67mm6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm6.50 x 3.50mm
    总电容C10pF---
    高度2.03mm1.75mm1.63mm1.70mm
    原产国家AmericaAmericaAmerica-
    品牌VishayONONDIODES
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.ON Semiconductor Inc.ON Semiconductor-
    系列Automotive, AEC-Q101---
    正向压降VF Max1.7V---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    引脚数2Pin4Pin4Pin3Pin
    FET功能----
    漏极电流-3A--
    Vgs(Max)-±15V±20V±20V
    阈值电压-1V4V@250µA3V@250µA
    配置-单路单路-
    连续漏极电流-3A3A4.4A
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    是否无铅-YesYesYes
    最小包装-1000pcs1000pcs1000pcs
    印字代码-AYW 3055L= =AWW 3055= =-
    认证信息-RoHSRoHS-
    元件生命周期-ActiveActive-
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-440pF@25V455pF330pF@40V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-120mΩ@5V,1.5A110mΩ@10V,1.5A120mΩ@10V,2.5A
    额定功率-1.3W1.3W2W
    击穿电压-60V60V-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±15V±20V-
    技术路线---MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-40pF110pF-
    充电电量-7.6nC10.6nC-
    功率耗散-2.1W2.1W2W
    存储温度--55℃~+175℃-55℃~+150℃-
    制造商标准提前期-34 周27 周10 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极电荷(Qg)---5.7nC
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