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AOE6932 与
TJ60S04M3L 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 连续漏极电流 | 55A,85A | - | ||
| FET功能 | Standard | - | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | - | ||
| 安装类型 | SMT | - | ||
| 包装 | Tape/reel | - | ||
| 栅极电荷(Qg) | 15,50nC | - | ||
| 封装/外壳 | VDFN8 | - | ||
| 晶体管类型 | 2个N沟道(双)非对称型 | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||
| 阈值电压 | 2.2,1.9V | - | ||
| 功率耗散 | 24W,52W | - | ||
| 输入电容 | 1.15nF,4.18nF | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 原始制造商 | Alpha and Omega Semiconductor | - | ||
| 极性 | 2个N-沟道 | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@20A,10V;5mΩ@20A,10V | - | ||
| 额定功率 | 24W,52W | - | ||
| 品牌 | AOS | - | ||
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