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BZT52C2V4Q-7-F 与
IPD85P04P4-07 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥0.10671 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥9.75240 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 功率耗散（最大值） | 370mW | - | ||
| 封装/外壳 | SOD-123 | TO-252(DPAK) | ||
| 工作温度 | -65℃~+150℃(TJ) | - | ||
| 反向漏电流IR | 50μA@1V | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 长x宽/尺寸 | 2.65 x 1.55mm | 6.57 x 6.10mm | ||
| 高度 | 1.05mm | 2.29mm | ||
| Zzt阻抗 | 100Ω | - | ||
| 容差 | ±8.33% | - | ||
| 基本产品编号 | BZT52 | - | ||
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | - | ||
| Vf正向峰值电压 | 900 mV@10 mA | - | ||
| 功率 | 370mW | - | ||
| 标准稳压值 | 2.4V | - | ||
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | ||
| 连续漏极电流 | - | 85A | ||
| 阈值电压 | - | 4V@150μA | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V | ||
| 类型 | - | 1个P沟道 | ||
| 额定功率 | - | 88W | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 7.3mΩ@10V,85A | ||
| 极性 | - | P-沟道 | ||
| 品牌 | - | Infineon | ||
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