LM2901DIPD180N10N3G、NVD6824NLT4G、AOD2910 的区别

    LM2901D

    制造商:ST

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    IPD180N10N3G

    制造商:Infineon

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    NVD6824NLT4G

    制造商:ON

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    AOD2910

    制造商:AOS

    最优价格:¥1.91100

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tube packing剪切带(CT) ,带卷(TR) Bulk packingTape/reel
    输出类型CMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL---
    电源电压,单/双(±)2V~32V,±1V~16V---
    输入失调电压(Vos)7mV---
    静态电流(Max)2.5mA---
    输入偏置电流250nA---
    输出电流16mA---
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    封装/外壳SOIC-14TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    放大器类型通用---
    品牌ST-ONAOS
    电源电压2V~32V;1V~16V---
    通道数四路---
    原始制造商STMicroelectronics--Alpha and Omega Semiconductor
    传播延迟时间----
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)-100V100V100V
    连续漏极电流-43A8.5A,41A31A
    阈值电压-3.5V@33µA2.5V2.7V@250µA
    输入电容-1.8nF@50V3.468nF1.19nF
    制造商标准提前期-12 周-16 周
    是否无铅-Yes-Yes
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@33A,10V16.5mΩ@10V,20A18.5mΩ@10V,20A
    系列-OptiMOS™Automotive,AEC-Q101-
    零件状态-ActiveActiveActive
    功率耗散-71W3.9W,90W53.5W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-6V,10V--
    栅极电荷(Qg)--66nC-
    引脚数--3Pin3Pin
    高度--2.29mm2.29mm
    长x宽/尺寸--6.60 x 6.12mm6.60 x 6.10mm
    类型--1个N沟道1个N沟道
    反向传输电容Crss--133pF@25V7pF
    极性--N-沟道N-沟道
    额定功率--90W2.5W,53.5W
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    配置---单路
    击穿电压---100V
    存储温度----55℃~+175℃
    元件生命周期---Active
    原产国家---America
    最小包装---2500pcs
    加入购物车询价询价询价加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照