LM358ADR 与
的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | |||
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |||
| 每个通道的输出电流 | 40mA | |||
| 工作电流 | 1mA | |||
| 输入失调电压(Vos) | 2mV | |||
| 输入偏置电流 | 15nA | |||
| 包装 | Tape/Reel | |||
| 增益带宽积(GBP) | 700KHz | |||
| 压摆率 | 300mV/μs | |||
| 输出电流 | 40mA | |||
| 电源电压,单/双(±) | 3V~30V,±1.5V~15V | |||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | |||
| 脚间距 | 1.27mm | |||
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | |||
| 高度 | 1.75mm | |||
| 引脚数 | 8Pin | |||
| 最小包装 | 2500pcs | |||
| 通道数 | 2 | |||
| 放大器类型 | 通用 | |||
| 共模抑制比 - CMRR | 80dB | |||
| 原产国家 | America | |||
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 7uV/℃ | |||
| 品牌 | TI | |||
| 原始制造商 | Texas Instruments Incorporated | |||
| 元件生命周期 | Active | |||
| 电源电压 | 3V~30V | |||
| 存储温度 | -65~+150℃ | |||
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