IRFU210PBF 与
TJ60S04M3L 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | TO-251-3 | - | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | - | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 200V | - | ||
| 连续漏极电流 | 2.6A | - | ||
| 安装类型 | 插件 | - | ||
| 包装 | 管件 | - | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| 阈值电压 | 4V@250µA | - | ||
| 输入电容 | 140pF@25V | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | ||
| 系列 | - | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
| 功率耗散 | 2.5W,25W | - | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 制造商标准提前期 | 11 周 | - | ||
| 额定功率 | 2.5W | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,1.6A | - | ||
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