FRAM

　　与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：

　　非易失性
　　即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
　　与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）

　　更高速度写入
　　像SRAM一样，可覆盖写入
　　不要求改写命令

   　对于擦/写操作，无等待时间
　　写入循环时间 =读取循环时间
　　写入时间： E2PROM的1/30,000

　　具有更高的读写耐久性
　　确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
　　耐久性：超过100万次的 E2PROM

　　具有更低的功耗
　　不要求采用充电泵电路
　　功耗：低于1/400的E2PROM

　　FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位。

　　在FRAM读操作后必须有个“预充电”过程，来恢复数据位。增加预充电时间后，FRAM一个完整的读操作周期为130ns，图（a）所示。这是与SRAM和E2PROM不同的地方。图（b）为写时序。