微影技术

　　1.微影技术所要求的光源，可以用可见光(Visible)、近紫外光 (Near Ultra-Violet, NUV)、中紫外光(Mid UV, MUV)、深紫外光(Deep UV, DUV)、真空紫外光(Vacuum UV, VUV)、极短紫外光(Extreme UV, EUV)、X-光(X-Ray)等光源对阻剂进行照射；也可以用高能电子束(25 100 keV)，低能电子束( 100 eV)，镓离子(Ga+)聚焦离子束(10 100 keV)对阻剂进行照射。

　　2.微影技术所要求的线幅宽度，随着半导体积体电路之积体层次的快速增加，也越来越小。 制造64百万位元(64 Megabit)动态随机存取记忆体(DRAM) 的设计准则(Design Rules)最小线幅宽度约为0.35微米；256百万位元约为 0.25微米；10亿位元(1 Gigabit)约为0.18微米；40亿位元(4 Gigabit)约为 0.15 0.13微米。