DC/DC电源芯片开关频率问题

现在能量转换都是在电磁之间进行，磁性材料的储能是与频率和体积直接相关的：E=0.5VB2f/u，频率越高、磁性材料的体积越大、磁摆幅越大、磁导率越小都可以提高输出功率。所以要提高功率密度，就要想办法减小体积，提高频率，增大磁摆幅。

从公式上看，降低磁导率也可以提高输出功率，但这样做的话，在相同磁摆幅条件下，磁场强度H将会增大，即NI增大，这样可能会带来更大的损耗，所以通常不会采用这种方法。

频率的提升会带来各种损耗增大，铁损随频率提高而增大，集肤效应和邻近效应使得铜损也会随频率提高而所有增大，MOS管的输入输出结电容损耗、漏感损耗都会随频率的提高而增大，不过这些问题可以通过软开关等技术解决一部分。

频率升高还会带来其他问题，比如EMI、环路响应，不过提高频率是提高功率密度的必然选择。

一般是为了提高功率密度
但又会带来负面影响：纹波、噪声、电感大小
所以虽然高频化是一个趋势，但实际中目前还是用几百k足以（300k内）

频率高，则隔离变压器可以做得更小，但问题也自然来了，开关管的开关损耗可能加大了，EMC/EMI问题也更难处理了。