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电源冗余电路MOSFET的驱动问题

各位大虾们，我从来没有用过MOSFET，虽然了解其原理，但是缺乏应用经验，现在要做一个电源冗余电路，要求是这样的：主路电源（24VDC）为常备电源，只要没有电压异常就一直使用它，一旦其电压异常则切换至辅路电源（电池24VDC），工作电流最大30A，切换开关使用N-MOSFET，使用MCU采集主路、辅路以及输出的电压及电流，电路中有一15VDC电源，拟使用它来做N-MOSFET的控制电源，现在我有一个疑问：因为是做电源冗余用，N-MOSFET为高边驱动方式，15VDC是否能正常打开它并且能够维持其正常工作？敬请各位大虾指点，谢谢！

提问者：ickey007 地点：- 浏览次数：1054 提问时间：10-31 10:23

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6条回答: lorddd 07-31 00:37

使用背靠背的方式是避免主路和辅路之间通过寄生二极管联通，如果不用这种方式，如果主路上失电，当这个模块的电源切换至辅路后，则会出现辅路电源倒灌给主路电源的情况，会出问题的。

 评论0  赞75; Evawang 08-05 10:20

接上，P-MOSFET的导通电阻比N-MOSFET的要高不少，这个大电流散热问题比较头疼。

 评论0  赞0; w525170414 08-02 11:40

也就是说在这个高边应用中如果我还是用N-MOSFET的话，必须要使用Vin+Vgs的电平来控制它的G极才能完全打开。而使用P-MOSFET则需要使用低于Vin - |Vgs|V的电压就可以打开它，如果关闭它的话N-MOSFET使用0V或者负压，P-MOSFET只要是Vin或者高于Vin就可以。

 评论0  赞45; dang56 08-04 16:10

与Iout还有一定关系。

 评论0  赞6; 60user105 08-06 03:16

P沟的Rds比N沟的大多了，楼主的电流达到30A建议还是用N沟的MOSFET.

 评论0  赞28; 60user125 08-04 19:14

是的，比较了一下，与其在散热上伤脑筋还不如搞两个高边驱动芯片，还是用N-MOSFET吧，因为我想把电流余量留的大一些，做到50A。

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