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高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

提问者：cKin_g 地点：- 浏览次数：10183 提问时间：12-02 07:05

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1条回答: bertvwang 12-06 07:55 回答数：被采纳数：

基本电路组成与“3_gn相同，第二差动级是输出用的

功率MOSFET,2SJ77,电流密勒电路使用了2SK214。

虽然工作电流只有6mA,但是，因为电源电压高达±sov,

晶体管会发热，于是安装了小型散热片。

输出级栗用直接驱动方式，由于不经射极输出器缓冲，

驱动电路的负载就加重了，如果转换速度需要提高，可在

Tri-*的允许损耗范围内尽量加大漏极倡置电流。

功率MOSFET经常产生高额振荡，要抑制振荡比较困

难，简单的措施是在栅极（位置尽量靠近栅极）串联电阻(★

标志的Ro,但这要牺牲一些高频特性，Ra的阻值随所用元

件而异，通常在50Q~500Q之间。

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