提供一些带隙基准电压源温度补偿的具体电路设计案例

以下是一些带隙基准电压源温度补偿的具体电路设计案例：

1. 基于Cadence的高阶温度补偿带隙基准设计：该设计基于LDO稳压器，采用Cadence的Spectre仿真工具进行模拟仿真，在-20～125 ℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/°C。

2. 一种带有曲率补偿的CMOS带隙基准电压源：该设计基于传统BJT型带隙基准电路，引入高阶曲率补偿电路，减少了MOS管的使用，使结构简单且温度系数大大降低。

3. 一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计：基于0.6 m BCD工艺参数，设计了一种低温漂、低功耗、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源。仿真结果表明，工作电源电压低至1.7 V，输出基准电压为1.24 V，温度系数仅6.68×10^-6 V/°C，电流消耗22 μA，电源抑制比高达82 dB。

4. 一种分段补偿带隙基准电压源的设计：针对一阶温度补偿的基准电压源仍有较高的温度系数问题，提出一种分段补偿的设计方法，利用带负电阻放大器的增益对温度敏感的特性产生一个随温度变化的电压信号，用该电压信号驱动一个PMOS管在3个温度段进行补偿。

5. 一种高低温度补偿带隙基准电压源：应用高低温度补偿电路优化了温度系数，设置预稳压电路提高了带隙基准电路的电源抑制比。基于0.35 μm标准CMOS工艺设计并绘制了电路及版图。

这些案例展示了不同设计方法和工艺技术在带隙基准电压源温度补偿中的应用，为设计高性能、低温度系数的基准电压源提供了参考。