以下是关于门极和反相器的英文文献分享,包括了SiC GTO驱动电路设计、氮化镓晶体管高频开关下的负面效应分析、SiC双极型功率半导体器件低功耗驱动技术、D类音频功率放大器芯片设计以及基于神经MOS管的新型反相器设计等方面的研究。
1. SiC GTO驱动电路设计与验证:该研究针对SiC GTO的开通关断要求,设计了驱动电路、控制电路和保护电路,并利用FPGA控制器编程,实现了上位机数据传送和门极驱动控制信号生成。实验结果表明,设计的驱动电路能够满足SiC GTO的门极触发电流和关断电流的输出要求。
2. 基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的负面效应分析及解决方案研究:论文深入研究了氮化镓晶体管在高速开关瞬态和高开关频率下的负面效应机理,并提出了系统解决方案和设计准则,以提高变换器的功率密度和可靠性。
3. SiC双极型功率半导体器件低功耗驱动技术研究:本文旨在设计出能够快速驱动SiC GTO开通与关断的低功耗驱动电路,通过选用霍尔传感器和CMOS反相器,实现了驱动电路的通断控制,降低了功耗。
4. 高效率无滤波的D类音频功率放大器芯片设计:D类音频功率放大器以其高效率、低失真和低功耗等优势,在便捷式产品中具有重要应用。本文完成了内嵌功率MOS管的D类功放集成电路系统结构设计,无需输出LC滤波器,简化了设计并提高了效率。
5. 基于神经MOS管的新型反相器设计:通过对神经MOS管特性的研究,提出了一种阈值可控反相器的设计方案,利用神经MOS管的阈值可控特性实现反相器的阈值控制功能,与常规反相器相比,该设计节省了46%的功耗。
6. 神经元MOS及其应用电路的研究:本文对神经元MOS晶体管的特性进行了系统分析,并建立了精确的HSPICE模型,深入研究了其在数字电路中的应用,如奇偶校验码系统和数字PWM发生器等。
这些文献涵盖了门极驱动技术、功率半导体器件的低功耗设计、音频功率放大器的高效率设计以及新型反相器的创新设计等多个方面,为电力电子领域的研究提供了宝贵的理论和实践参考。
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