提供一篇关于CMOS反相器的英文文献

在知网搜索中，我们找到了多篇与CMOS反相器相关的文献。以下是其中一篇文献的摘要：

设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时，N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V；温度达到300℃时，N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs，下降时间为2.17μs，且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz，在高温下也可正常工作。

这篇文献详细讨论了CMOS反相器在高温条件下的性能表现，包括阈值电压、上升时间、下降时间以及工作频率等关键参数。如果您需要更详细的信息或希望获取全文，请访问以下链接：

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