推荐一些压控晶振温度特性相关的资料

以下是关于压控晶振温度特性的一些资料推荐：

1. 基于主动补偿法改善压控晶振频率温度特性的研究：该研究从晶振的温度-频率特性和老化-频率特性出发，建立了晶振的温度补偿模型与老化补偿模型，并引入了PID算法实现电压步进式输出，以提高晶振的短期频率稳定性。研究使用了MSP430G2230芯片作为内核，并通过MATLAB进行温度曲线与老化曲线的拟合，验证了模型的合理性。

2. 一种模拟温度补偿晶体振荡器的设计与实现：该设计采用了模拟的温度补偿方式，使用运算电路组成的温度补偿电压产生电路代替了热敏电阻补偿网络。设计过程中，首先测定了压控晶振所需要的补偿电压，并对补偿电压进行曲线拟合，确定了温度补偿电压产生电路的参数大小。实验结果表明，该温度补偿晶体振荡器在-30℃～80℃范围内，频率稳定度在±1.5ppm以内。

3. 微小型SMD压控晶振（VCXO）的研制与分析：该研究基于压控晶振理论研究，采用厚膜和二次混合集成技术，成功实现了体积为5.0×3.2×1.2(mm)的SMD微小型压控晶振，其频率稳定度、压控频率范围等方面都得到了明显的提升。

4. 分析改进高频宽压控晶振频率温度稳定性的办法：该研究从理论方面分析了会引起高频宽压控晶振频率温度稳定性恶化的因素，并提出了通过控制石英谐振器的激励功率及振荡电路的压控范围，能达到改良高频宽压控晶振的温频特性。

5. 一种超高频率稳定度的ATCXO电路的研究与设计：该研究设计了一种超高频率稳定度的模拟温度补偿晶体（ATCXO）振荡器电路，利用先进的模拟集成电路制造工艺，将模拟补偿电路及压控晶体振荡器集成于一颗芯片中，使晶体在使用时只需和一颗芯片搭配使用，即可在较宽温度范围内提供高精度的频率源。

这些资料涵盖了压控晶振的温度补偿技术、模拟温度补偿晶体振荡器的设计、微小型SMD压控晶振的研制、高频宽压控晶振频率温度稳定性的改进方法，以及超高频率稳定度的ATCXO电路的研究与设计等多个方面，为压控晶振温度特性的研究提供了丰富的理论和实践参考。