推荐一些详细介绍VCO相位噪声的文档

以下是一些详细介绍VCO相位噪声的文档：

1. 《低功耗低噪声级联小数分频锁相环电路》：设计了一种基于65nm CMOS工艺的低功耗、低相位噪声的小数分频锁相环，通过增加DSM工作频率、降低量化步长及相位域滤波三种方案进行设计，实现了1MHz频偏处相位噪声为-107.3 dBc/Hz。

2. 《一种宽带低参考杂散亚采样锁相环时钟》：设计了一种自适应带宽亚采样锁相环时钟，能够在宽调谐范围内实现低抖动、低杂散的时钟输出，参考杂散为-71.90 dBc@1.2 GHz。

3. 《Ka频段小型化低功耗超宽带低相位噪声频率合成器的设计》：研究了频率合成器的设计原理，详细剖析了关键电路设计方法，实现了100 Hz偏移下相位噪声水平优于-76 dBc·Hz-1。

4. 《基于等效阻抗渐变变压器的宽带压控振荡器》：设计了一种毫米波宽带压控振荡器，采用等效阻抗渐变变压器优化VCO高频段相位噪声，全频带内相位噪声小于-102 dBc/Hz。

5. 《高精度极低功耗压控振荡器设计》：面向低功耗锁相环应用，设计了一款高精度极低功耗压控振荡器，实现了低功耗条件下输出正交信号，且具有较好的调谐精度。

6. 《一种低相位噪声高调谐增益的低功耗VCO设计》：设计了一种基于负阻原理的低相位噪声且高调谐增益的低功耗压控振荡器，10kHz频偏处的相位噪声为-83.85dBc/Hz。

7. 《基于改进开关可调电容的宽调谐太赫兹频率源设计》：设计了一种宽调谐范围、高输出功率的压控振荡器，实现了10 MHz频偏处的相位噪声最优为-105.52 dBc/Hz。

8. 《24 GHz频段高性能压控振荡器的设计》：设计了一种低功耗、低噪声、宽调谐范围压控振荡器模块，实现了23.77～30.05 GHz的宽调谐范围，相位噪声为-103.05 dBc/Hz@1 MHz。

9. 《一种用于锁相环的环形压控振荡器设计》：提出了一种环形压控振荡器的电路设计，频偏为1MHz时的相位噪声为-92.46dBc/Hz@1MHz。

10. 《一种基于22 nm FDSOI工艺的低噪声快速锁定电荷泵锁相环》：设计了一种能够快速锁定的电荷泵锁相环，VCO相噪水平达到-100.4 dBc/Hz@1 MHz。

这些文档涵盖了从低功耗设计到宽带应用，从工艺优化到电路创新等多个方面，为VCO相位噪声的研究和应用提供了丰富的资料和设计思路。