以下是一些关于低噪声PGA设计的书籍和文献推荐:
1. 《一种适用于太赫兹雷达的低噪声模拟基带设计》:基于22 nm CMOS工艺,提出了一种新型模拟基带设计方法,有效降低电路整体噪声系数。
2. 《基于GaAs HEMT的低温低噪声放大器设计》:使用ADS软件仿真设计了一款C波段低温低噪声放大器,等效噪声温度低至7 K以下。
3. 《80 Gbit/s PAM4光接收机低噪声模拟前端电路设计》:采用UMC 28 nm CMOS工艺,设计了一款低噪声模拟前端电路,实现的跨阻增益为48.5 dBΩ,带宽为36.1 GHz。
4. 《一种5.0~9.3 GHz低功耗宽带低噪声放大器设计》:基于65 nm CMOS工艺设计了一款两级低功耗宽带低噪声放大器,仿真结果表明,在5~9.3 GHz频带内LNA的S21为17.8±0.1 dB。
5. 《一种低噪声、高PSRR的LDO设计》:基于smic40工艺提出了一种低噪声、高PSRR的LDO,实现了从10 Hz到100 kHz的RMS噪声在室温下小于2μV。
这些文献涵盖了从低噪声放大器的设计原理、工艺选择到具体应用的多个方面,为低噪声PGA设计提供了丰富的参考资料。