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晶体管制造工艺中光刻和离子注入的原理是什么

提问者:jf_daLmOoRV 地点:- 浏览次数:121 提问时间:07-25 17:49
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jf_zMygdX3T 07-25 17:49

光刻和离子注入是晶体管制造工艺中的两个关键步骤。光刻利用光致抗蚀剂感光后因光化学反应形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻过程包括涂胶、曝光、显影等步骤,其工艺水平直接决定芯片的制程精度。离子注入则是一种在半导体制造中起到关键作用的技术,通过将杂质离子加速并注入硅晶体中,改变硅的微观结构,实现导电性。离子注入可以形成n型和p型区域,结合形成PN结,使硅从绝缘体转变为半导体。半导体材料的导电率可以通过掺杂物控制,这是制造晶体管和其他半导体器件的基础。

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