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Module封装/外壳的IGBT

华秋商城代理的IGBT芯片全系列，有Module封装/外壳芯片，都是华秋商城自营的正品现货IGBT芯片。

展示方式：

横向纵向

封装/外壳

D-PAKD²PAKITO-220ABModuleTO-220-3TO-220ABTO-220FTO-220FPTO-247TO-247-3TO-247-3LDTO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D²Pak)TO-3PTO-3P-3TO220MFTO247AC-3TO264-3TO3PN
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晶体管类型

-FS(场截止)Grooved Field Cut-OffNPTNPT and TrenchNPT和沟道NPT，沟槽型场截止P沟道Trench Field Stop场截止沟槽型场截止沟道
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集射极击穿电压Vce(Max)

-1.2KV1.35KV1KV330V420V600V650V
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工作温度

-40℃~+150℃-40℃~+150℃(TJ)-40℃~+175℃-40℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃(TJ)
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导通损耗

0.18mJ0.37mJ0.39mJ0.75mJ0.82mJ1.19mJ1.2mJ1.5mJ1.9mJ2.1mJ2.2mJ2.5mJ2.9mJ330uJ
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关断损耗

0.045mJ0.12mJ0.1mJ0.26mJ0.31mJ0.39mJ0.43mJ0.45mJ0.46mJ0.63mJ0.65mJ0.96mJ1.55mJ2.9mJ210uJ
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开通延迟时间

15ns18ns19ns22ns24.5ns265ns26ns30ns31.6ns33ns363ns55ns73ns8.5ns
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关断延迟时间

105ns106ns112ns132ns165ns168ns180ns19ns20ns32ns330ns40ns60ns67ns87ns
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))

1.2KV1.35KV1.8V@15A,15V1KV330V420V600V650V
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正向压降VF

1.45V@20A1.5V1.65V1.9V2V3.2V3.5V@40A
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功率耗散

110W150W160W165W187W200W206W208W223W250W260W280W286W290W298W30W312W316W32W330W333W349W37.5W378W416W428W483W600W69W
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集电极电流 Ic

100A10A120A12A15A160A20A21A240A25A30A40A43A50A57A60A64A74A75A80A90A96A
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