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FUDAN MICRO(复旦微电子)品牌的FLASH存储器

华秋商城代理的FLASH存储器芯片全系列，有FUDAN MICRO(复旦微电子)品牌芯片，都是华秋商城自营的正品现货FLASH存储器芯片。

展示方式：

横向纵向

封装/外壳

-BGA-63(11x9)BGA-64(10x8)FBGA-153(11.5x13)FBGA-63(11x9)FBGA-64(13x11)LGA-8(6.2x8)LGA-8(6x8)LGA-8(8.5x7)LGA-8(8x6.6)LQFP-44(10x10)P-WFBGA-153(11.5x13)SO-8WSO-8W-208milSOIC-16SOIC-16(10.3x7.5)SOIC-16-300milSOIC-8SOIC-8-208milSOIJ-8-208milSOP-16(10.3x7.52)SOP-16-300milSOP-8SOP-8-208milT-PBGA-24(6x8)TBGA-24TFSOP-48TFSOP-56TSOP-32TSOP-32(12.4x8)TSOP-32(8x12.5mm)TSOP-48TSOP-56TSSOP-8U-PDFN-8(6x8mm)UDFN-8-EP(5x6)USON-8(2x3)USON-8(3x4)USON-8(4x4)USON-8-EP(2x3)USON-8-EP(3x4)USON-8-EP(4x4)VFBGA-63W-PDFN-8(8x6)-EPWDFN-8WDFN-8-EPWDFN-8-EP(5x6)WLCSP-12(2.3x2)WLCSP-16(2.47x3.12)WSON-8(5x6)WSON-8(6x8)WSON-8-EP(5x6)WSON-8-EP(6x8)XSON-8-EP(2x3)XSON-8-EP(4x4)
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最大时钟频率

100MHz104MHz108MHz10MHz120MHz133MHz14MHz166MHz1MHz25MHz33MHz400KHz40MHz50MHz52MHz55MHz66MHz70MHz75MHz80MHz83MHz85MHz86MHz
清除
存储器类型

FLASH非易失
清除
存储容量

-128Mbit14Mbit16Gbit16Mbit1Gbit1Mbit256Mbit2Gbit2Kbit2Mbit323Mbit32Gbit32Kbit32Mb32Mbit4Gbit4Kbit4Mbit512Kbit512Mbit64Gbit64Mbit8Gbit8Mbit
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工作电压

1.65V~1.95V1.65V~2V1.65V~3.6V1.7V~1.95V1.7V~2V1.7V~3.6V1.8V;3.3V1.95V2.3V~3.6V2.5V~3.6V2.65V~3.6V2.7V~3.3V2.7V~3.6V2V2V~3.6V3.6V3V4.3V~5.5V
清除
存储器格式

Flash Memory闪存
清除
写周期时间(Tw)

-1.5ms100µs100µs，10ms10ms10µs110ns12ms15ms，5ms15μs，0.4ms20ns20µs25ns300µs，5ms30µs，1.5ms30µs，3ms30µs，750µs3ms400µs40ms45ns4ms50µs，3ms5ms5µs，5ms70ns750µs800µs8ms8ms，2.8ms8ns8µs90ns
清除
工作温度

-20℃~+70℃-25℃~+85℃-30℃~+85℃-40℃~+105℃-40℃~+125℃-40℃~+85℃-40℃~+85℃；-40℃~+105℃0℃~+70℃0℃~+85℃
清除
安装类型

SMT
清除
技术

EPROM-OTPFLASHFLASH-NANDFLASH-NAND（SLC）FLASH-NOR
清除
待机电流

-0.2mA0.2μA0.5μA0.9μA1.3μA100μA10μA11μA12μA130μA14μA150μA15μA16μA170μA1mA1µA1μA200μA20μA250μA25μA2μA30μA315μA35μA40μA50μA5mA5μA6μA70μA7μA8 mA80μA8μA90μA9μA
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页写入时间(Tpp)

1.2ms1.4ms1.5ms1.6ms1.8ms11μs120μs1ms2.4ms2.5ms200μs250μs2ms3.2ms300μs330μs340μs3ms400μs500μs600μs60ns640μs700μs70ns750μs800μs850μs
清除
块擦除时间(tBE)

10ms120ms@(32KB)12ms13ms150ms@(32KB)150ms@(32KB)；250ms@(64KB)150ms@(64KB)160ms160ms@(32KB)16ms16ms@(32KB)170ms1s@(64KB)200ms@(128KB)200ms@(32KB)200ms@(64KB)220ms250ms250ms@(64KB)25ms300ms300ms@(32KB)300ms@(64KB)350ms@(64KB)400ms400ms@(64KB)500ms520ms@(256KB)700ms@(64KB)8ms@(32KB)8ms@(64KB)
清除
写周期寿命

10万次
清除
数据保留 - TDR(年)

100年10年20年
清除