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    IRF540

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    功率场效应晶体管

     

    产品信息

    使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管

    应用: DC 到 DC 转换器

    开关电源

    电视及电脑显示器电源 

    IRF540 中提供的是 SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。

    IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。


     



    优势特点

    ‘Thrench’工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻

    企业微信截图_20180723110245.png

    规格参数

    产品基本参数:

    产品型号:irf540n

    生产厂家:SANYO 、IR、VISHAY

    描述:

    晶体管极性:N沟道

    漏极电流, Id 最大值:33A

    电压, Vds 最大:100V

    开态电阻, Rds(on):0.04ohm

    电压 @ Rds测量:10V

    电压, Vgs 最高:10V

    功耗:94W

    封装类型:TO-220AB

    针脚数:3

    功率, Pd:120W

    器件标记:IRF540N

    引脚节距:2.54mm

    晶体管数:1

    晶体管类型:MOSFET

    温度 @ 电流测量:25°C

    满功率温度:25°C

    热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W

    电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

    电压, Vds 典型值:100V

    电流, Id 连续:27A

    电流, Idm 脉冲:110A

    表面安装器件:通孔安装

    针脚格式:1 g

    2 d/tab

    3 s

    针脚配置:a

    阈值电压, Vgs th 典型值:4V

    IRF540规格参数.png

    irf540规格参数.png

    IRF540规格参数

    IRF540规格参数

    IRF540规格参数


    电路图、引脚图和封装图

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    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    IRF540N_HEXFET® Power MOSFETPDF100 点击下载
    IRF540 N沟道MOS管参数DOC31 点击下载
    IRF540N pdf datasheetPDF86.6 点击下载
    IRF540N数据手册PDF138 点击下载
    IRF540中文资料DOC953 点击下载
    IRF540数据资料PDF163 点击下载
    IRF540中文资料DOC953 点击下载
    超经典英文版irf540npb规格书PDF153 点击下载

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