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    AT45DB021

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    2兆位2.7伏,只有串行数据闪存。

     

    产品信息

      特点:

      单2.7V - 3.6V电源

      串行接口架构

      页编程操作

      - 单周期重新编程(擦除和编程)

      - 1024页( 264字节/页)主内存

      两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

      而非易失性存储器的重新编程

      内部的计划和控制的定时器

      快速页编程时间 - 7毫秒典型

      120µš典型的页面,以缓冲传输时间

      低功耗

      - 4毫安有效的读电流典型

      – 5µ一种CMOS待机电流典型

      5 MHz的最大时钟频率

      硬件数据保护功能

      串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3

      CMOS和TTL兼容输入和输出

      商用和工业温度范围

      描述:

      该AT45DB021是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系

      TEM重新编程。其2162688位存储器组织为1024页

      264字节每个。除了在主存储器中, AT45DB021还包含两个

      每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据

      在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-

      被访问随机与多个地址线和并行接口里斯,

      该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行

      接口方便了硬件的布局,提高了系统的可靠性,减少了切换


    电路图、引脚图和封装图

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