VN0606

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MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 60V, 3.0 Ohm

中文数据手册

产品信息

This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure andwell-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

电路图、引脚图和封装图

VN0606 封装图

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型号	制造商	描述	购买
VN0606L-G-P003	KOA	贴片电阻 0805 270Ω ±5% 1/4W ±200ppm/℃	立即购买
VN0606L-G	Maxim	IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
SY_0606开发板的特性简	PDF	451	点击下载
G0606M-I光电二极管	PDF	264	点击下载
VN2700系列视频编码器	RAR	899	点击下载
2N6661/VN88AFD pdf datasheet	RAR	77	点击下载
VN0088A_v1.3数据手册	PDF	410	点击下载
G2S06510A 兼容C3D10060A C3D06065A	PDF	1693	点击下载
伺服驱动器VN维护和检查	PDF	171	点击下载
VN2222 pdf	RAR	45	点击下载

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