制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NB3N502DR2G | ON | IC MULTIPLIER CLOCK PLL 8-SOIC | 立即购买 |
NB3N502DG | ON | IC CLK MULTIPLIER PLL 8-SOIC | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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PLL Clock Multiplier, 14 MHz - 190 MHz, 3.3 V / 5.0 V | 133 | 点击下载 | |
IBSUI model for NB3N502 3.3V | UNKNOW | 5 | 点击下载 |
IBIS Model for NB3N502 5.0V | UNKNOW | 5 | 点击下载 |
SOIC-8 Narrow Body | 61 | 点击下载 | |
NB3N502DEVB Evaluation Board User"s Manual | 247 | 点击下载 |
一、操作说明 在功能设置状态下,按遥控器或
飞兆半导体 (NYSE: FCS) 开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT,占位面积仅为1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件,用以驱动串联白光LED,为智能电话的显示屏(以及按键,如果有键盘的话)提供照明。
爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)推出全新SAM3N系列微控制器,扩展其ARM® Cortex™-M3 Flash系列。新推出的SAM3N系列是瞄准消费、工业控制、计量、玩具、医疗、测试和测量、802.15
STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻,提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效 功率半导体世界领先厂商意法半导体进一
现在的EUV光刻机使用的是波长13.5nm的极紫外光,而普通的DUV光刻机使用的是193nm的深紫外光,所以升级到EUV光刻机可以大幅提升半导体工艺水平,实现7nm及以下工艺。
8月14日,台积电召开董事会,做出多项重大决议,首要的就是投入巨额资金,继续推进产能和工艺,保持领先地位。
借助NB-IoT和SARA-N3降低监测应用设备总体功耗
若按照往例,NB-IoT必须等到整个3GPP R13底定时,随整个3GPP R13标准一起发表,不过此次却一反往例,3GPP于2016年6月22日,宣布已完成NB-IoT标准的订立。
NLSX4014 | NC7SV08 | NOM02B4-DR11G | NBA3N206S |
NCP4305 | NCP134 | NL17SZ74 | NLAS3157 |
NUF4001MU | NIS5112 | NB7L572 | NCP333 |
NCP3902 | NCL30167 | NCP1247 | NCS3402 |
NCP1653 | NB3N51032 | NCP4328 | NSI45025Z |