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The MCP87000 family of high-speed MOSFETs have been designed to optimize the trade-off between ultra-low On-state resistance (Rds-on) and Gate Charge (Qg) to maximize power conversion efficiency in switched mode power supplies.
Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON))
Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-DrainCharge (QGD)
Low Series Gate Resistance (RG)
Fast Switching
Capable of Short Dead-Time Operation
ROHS Compliant
MCP87130 封装图
MCP87130 封装图
MCP87130 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCP87130T-U/LC | Mill-Max | HEADER OPEN .030"DIA .300 28POS | 立即购买 |
| MCP87130T-U/MF | Vishay | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 立即购买 |
...构如图1所示，每个节点都以AT89C51单片机为节点控制器，MCP2510为总线控制器，MCP2551为总线收发器，其中，与控制台工作站相连接的节点被称为集中机，其余为区域机。在集中机中，所谓控制台工作站，就是一台PC机，单片机通过...
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
产品特点 传输时间扩展 40ps； 抗磁性3T； 光电阴极Hi-QE； 门控可选； 8mm、16mm或18mm使用直径。 技术信息 Photonis的MCP-PMT具有高线性度特性，在光电burst
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
| MAQ3203 | MICRF229 | MIC2782 | MIC2793 |
| MIC2176 | MIC3287 | MC100EP101 | MSC1212Y5 |
| MC100LVEL90 | MCP6G01R | MCP3909 | MCP40D17 |
| MSC1214Y5 | MRF89XA | MIC2182 | MC10E156 |
| MAX485 | MC74ACT640 | MC100ELT21 | MC1496 |
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