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The MCP87000 family of high-speed MOSFETs have been designed to optimize the trade-off between ultra-low On-state resistance (Rds-on) and Gate Charge (Qg) to maximize power conversion efficiency in switched mode power supplies.
Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON))
Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-DrainCharge (QGD)
Low Series Gate Resistance (RG)
Fast Switching
Capable of Short Dead-Time Operation
ROHS Compliant
MCP87022 封装图
MCP87022 封装图
MCP87022 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCP87022T-U/MF | Vishay | DIODE AVALANCHE 600V 2A TO277A | 立即购买 |
当前给定的MCP的概念为：MCP是在一个塑料封装外壳内，垂直堆叠大小不同的各类存储器或非存储器芯片，是一种一级单封装的混合技术，用此方法节约小巧印刷电路板PCB空间。
相较于内含MCU的混合式半数位电源控制的LEDDriver，MCP1633在价格上相对低廉许多，而使用上也和DEPA系列的MCP19xxxLowsideMOSFETdriver也非常类似，可以
硅表征数据用于确定非线性传感器的特性。从该数据中得出一个描述传感器典型性能的方程式。确定方程的相应系数后，这些系数将用于计算典型传感器非线性的补偿。
磁场 与普通光电倍增管(PMT)的使用相比，微通道板(Microchannel Plate，MCP)受到磁场的影响比较小。磁场对MCP使用影响的大小取决于磁场与MCP通道轴之间的方向。图1显示
MCP存储器,MCP存储器结构原理 当前给定的MCP的概念为：MCP是在一个塑料封装外壳内，垂直堆叠大小不同的各类存储器或非存储器芯片，
value="MCP6N11和MCP6V2X惠斯通电桥的参考设计主要想演示单芯片MCP6N11仪表放大器和采用MCP6V26和MCP6V27自归零运放所搭建而成的三运放仪表放大器的性能。"
本视频介绍了MCP19111/MCP87XXX 电源管理产品以及组成的灵活高校的电源方案。MCP19111是全球首款数字增强型的功率模拟转换器，MCP87000系列是Microchip开发设计的第一代MOSFET产品。
MCP3421电池电量监测演示板
| MC100EP16VB | MCP3905A | MCP16331 | MC10H645 |
| MC74VHC373 | MCP2030 | MC100EP196B | MC10EL34 |
| MIC5020 | MC100EL91 | MCP4728 | MMBF5457 |
| MC33060A | MMBFJ108 | MIC2130 | MCP9805 |
| MCP2004 | MCP14E3 | MD1810 | MMBTH10RG |
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