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制造商：ADI/AD
优势和特点
增益控制：-13.5至+18 dB，步长为0.5 dB
上电状态选择
高输出IP3：+32 dBm
TTL/CMOS兼容串行、并行或锁存并行控制
增益步长误差：±0.25 dB（典型值）
+5V单电源
32引脚5x5 mm SMT封装： 25 mm2
产品详情
HMC625BLP5E是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为DC至5 GHz，可编程为以0.5 dB步长提供13.5 dB衰减至18 dB增益范围内的任意值。HMC625BLP5E在最大增益状态下的噪声系数为6 dB，任意状态下的输出IP3高达+32 dBm。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入或6位并行字。HMC625BLP5E还提供用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他Hittite串行控制元件。HMC625BLP5E采用符合RoHS标准的5x5 mm QFN无铅封装，无需外部匹配元件。
应用
蜂窝/3G基础设施
WiBro / WiMAX / 4G
微波无线电和VSAT
测试设备和传感器
IF和RF应用
HMC625B电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC625BLP5ETR | - | - | 立即购买 |
| HMC625BLP5E | - | - | 立即购买 |
...通信息，本文提出了一种基于AT91RM9200 和AMR 磁阻传感器（HMC1022）的嵌入式前端信息采集设备。 1 AMR 磁阻传感器技术简介 异向性磁阻传感器（AMR），最适于工作在地球磁场范围，可以检测直流静态磁场，
有时测试序列需要能够避免电源电压突然上升。EasyRamp功能允许用户模拟启动曲线。通道开启之后，输出电压的增加将在定义的时间范围内与设定电压值成近似线性关系。
HMC448LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。
该交换芯片由两个负控电压输入 (VCTL = −5 V / 0 V) 供电，无需另外电源，且不消耗电流。HMC347B 的 RFx 焊盘通过一条 3.0 mil × 0.5 mil 的最小号连接带与 50 Ω 条传输线连接，可获取所有电气性能数据。
新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。骁龙625是高通首款采用14nm制程打造的八核心处理器
骁龙435八核处理器是一款中高性能的手机处理器，400系列中首款集成 X8 LTE 及支持 Cat 6 的处理器高通骁龙625处理器，采用A53八核心设计，其单核频率最高可达2.0GHz，14nm FinFET制程，而GPU部分则是Adreno 506。
2016年10月18日上午，高通在香港召开新品发布会，正式发布了骁龙653、骁龙626以及骁龙427三款全新的移动处理器，均为类似于骁龙821的“小改升级款”。骁龙625是高通（Qualcomm）首款采用14nm制程打造的八核心处理器
目前手机圈已经有不少新机搭载了骁龙625处理器，究竟高通骁龙625性能怎么样呢？下面我们通过跑分与相关CPU对比详细来了解下。
| HMC746 | HMC273A | HMC265-Die | HMC591-Die |
| HMC-XDB112 | HMC838 | HMC726 | HMC213B |
| HMC-VVD106 | HV2221 | HMC460LC5 | HMC321 |
| HMC735 | HMC590LP5 | HMC1168 | HV57708 |
| HMC442-Die | HMC-C038 | HMC-C027 | HMC-C020 |
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