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    HMC219B

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    2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器

    制造商:ADI/AD

    中文数据手册

    产品信息

    优势和特点

      转换损耗:9 dB(典型值)

      LO至RF隔离:40 dB(典型值)

      LO至IF隔离:35 dB(典型值)

      RF至IF隔离:22 dB(典型值)

      输入IP3:18 dBm(典型值)

      输入P1dB:11 dBm(典型值)

      输入IP2:55 dBm(典型值)

      无源双平衡拓扑结构

      8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装

    产品详情

    HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器,采用8引脚超小型塑料表贴封装,带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。

    HMC219B采用经过优化的巴伦结构,提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。

    应用

      微波无线电

      高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)

      工业、科研和医疗(ISM)

    电路图、引脚图和封装图

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