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    H11F1M

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     6引脚DIP双向模拟FET输出光电耦合器

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    H11FXM系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,该二极管光学耦合至对称双向硅光电探测器。 探测器与输入端绝缘,功能类似于理想的隔离式FET,设计用于低电平AC和DC模拟信号的无失真控制。 H11FXM系列器件采用双列直插封装。
    • 作为一个远程可变电阻:
    • ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
    • ≤ 15pF分流电容
    • ≥ 100GΩ I/O隔离电阻作为模拟开关:
    • 极低失调电压
    • 60 V
    • 信号能力
    • 无电荷注入或闩锁
    • UL认证(文件编号E90700)

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    技术资料

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    PDIP6 8.51x6.35, 2.54PPDF63 点击下载
    PDIP6 8.51x6.35, 2.54PPDF65 点击下载
    PDIP6 8.51x6.35, 2.54PPDF60 点击下载
    H11F3M-D.pdfPDF432 点击下载
    Insulated-Gate Transistors Simplify AC-Motor Speed ControlPDF588 点击下载
    VDE:102497PDF680 点击下载
    UL:E90700_2PDF1257 点击下载
    CQC:14001116480PDF188 点击下载

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