首页产品索引FQPF16N15

    FQPF16N15

    购买收藏
     N 沟道 QFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    • "
    • 11.6A, 150V, R
    • = 160mΩ(最大值)@V
    • = 10 V, I
    • = 5.8A栅极电荷低(典型值:23nC)
    • 低 C
    • (典型值30pF)
    • 100% 经过雪崩击穿测试
    • 175°C最大结温额定值"
    • 175°C maximum junction temperature rating"

    在线购买

    型号制造商描述购买
    FQPF16N15-- 立即购买

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FGPDF53 点击下载
    FQPF16N15-D.pdfPDF567 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    FAN48617FSA9285FL7733AFGA20N120FTD
    FGH40N60UFFIN3386FAN5402FUSB302T
    FGA20S125PFSV10150VFPF2164FSB50550AT
    FGH30S150PFS6370FOD8343FAN5622
    FAN3214T_F085FDMF8811FUSB301FGH50T65UPD
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照