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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FMS6141S5X | - | - | 立即购买 |
| FMS6141CSX | - | - | 立即购买 |
...格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216， IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的...
台北和美国加州讯，2023年 8月9日—全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技 (NasdaqGS: SIMO) 今日宣布于8月8日至10日在美国加州圣塔克拉拉举行的FMS 2023 (Flash
EMI辐射近场测试是一种相对量测试，它可以把被测件的测试结果与基准件的测试结果进行比较，以预测被测件通过一致性测试的可能性，并且通过探头的检测能快速精准的告诉工程师。
Semtech推出FMS LoRa®组网解决方案
8月8日-10日， 全球闪存峰会FMS2023 将在美国加州圣克拉拉会议中心隆重举行。作为国际闪存行业的盛会，FMS2023将展示闪存最新进展，聚焦DRAM、DNA数据存储、UCIe、CXL
用FMS7401型功率控制器设计的数字调光荧光灯镇流器 为了控制预热时间、最低与最高驱动频率及正常工作频率等各种参数,模拟电子镇流器的控制器外
fsmc就是为了扩展内存的，如我们在STM32芯片外添加一个sram芯片，那么我们只需要把 sram芯片的地址线和数据线和STM32连接后，然后将内核规定的地址数赋给sram的地址，那么我们就可以通过内核规定的地址去访问sram芯片了。
根据FPGA芯片加载时序分析，本文提出了采用通过市面上常见的Flash ROM芯片替代专用PROM的方式，通过DSP的外部高速总线进行FPGA加载;既节约了系统成本，也能达到FPGA上电迅速加载的目的
| FST16861 | FAN53610 | FSB70625 | FAN3121T |
| FGH60N60SM_F085 | FAN5640 | FIN1049 | FGH15T120SMD |
| FAN501A | FSA3157 | FPF2102 | FMS6144A |
| FERD40U50C | FPF3042 | FAN3225C_F085 | FPF2116 |
| FOD2741A | FGH20N60SFD | FCP190N65S3 | FPF1005 |
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