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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGB20N60SF | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| D2PAK-3 (TO-263, 3-LEAD) | 58 | 点击下载 | |
| FGB20N60SF-D.pdf | 688 | 点击下载 |
联宝FGB-II型榨汁搅拌机电路图
工程机械多年的工作生涯，使我遇到了很多技术工作者，谈心谈国内技术，谈技术发展中国产材料对技术进步的影响，每年都有不同的公司寄给我实验产品，有电子元件、有新材料、有控制主板、有单片机，当然也有PLC，其中海...
项目要求能够达到多种产品的兼容，多工艺的自由调节，直焊、侧焊、运动焊多种焊锡方式，并能存储多个档案。
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
GlobalFoundries日前试产了20nm测试芯片，该芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的设计工具。此次试制的测试芯片使用了双重图形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
GlobalFoundries 已开始在纽约的 Fab 8 厂房中安装硅穿孔（TSV）设备。如果一切顺利，该公司希望在2013下半年开始採用 20nm 及 28nm 製程技术製造3D堆叠晶片。
非挥发性相变记忆体技术长久以来一直被讨论是否可取代现有的主动式记忆体和快闪记忆体，但迄今仍充满争议，因为尽管多年来有许多公司相继投入研发，但仍未达量产水准。
据台湾媒体报道，台积电（TSMC）预计会在下月试产20nm芯片制程，即将成为全球首家进入20nm技术的半导体公司。若该芯片试产成功，将超越英特尔（Intel）的22nm制程，拉开与三星电子（
| FAN7362 | FFSD10120A | FGA30N65SMD | FOD8321 |
| FPF2215 | FSV530AF | FSBB10CH120D | FNF51060TD1 |
| FAN501 | FSD146MRBN | FAN53763 | FSEZ1016A |
| FJN4309R | FXL5T244 | FNA41060 | FFSD08120A |
| FAN6920MR | FDP4D5N10C | FPF2193 | FSL3276ALR |
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