FFSP1065A

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SiC Diode - 650V, 10A, TO-220-2

制造商：ON

中文数据手册

产品信息

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Llew

Max Junction Temperature 175 °C
High Surge Current Capacity
Positive Temperature Coefficient
No Reverse Recovery / No Forward Recovery

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技术资料

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TO-220-2LD	PDF	32	点击下载
Silicon Carbide Schottky Diode	PDF	416	点击下载
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