FDZ1905PZ

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-20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench® WL-CSP MOSFET

制造商：ON

中文数据手册

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产品信息

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5V PowerTrench
工艺和最新¡°低间距¡± WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和r
。先进的WL-CSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

最大 r
= 126mΩ（V
= -4.5V，I
= -1A 时）
最大 r
= 141mΩ（V
= -2.5V，I
= -1A 时）
最大 r
= 198mΩ（V
= -1.8V，I
= -1A 时）
最大r
= 303mΩ（V
= -1.5V，I
= -1A 时）
仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
超薄封装：安装至PCB时，高度小于0.65 mm
高功率和高电流处理能力
HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
符合 RoHS 标准

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FDZ1905PZ	-	-	立即购买

技术资料

标题	类型	大小（KB）	下载
PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET™ Packages	PDF	213	点击下载
PSPICE	UNKNOW	162	点击下载
WLCSP6 1.5x1x0.6	PDF	38	点击下载
FDZ1905PZ-D.pdf	PDF	283	点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETs	PDF	501	点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs	PDF	319	点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	点击下载

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