首页产品索引FDS8984_F085

    FDS8984_F085

    购买收藏
     30 V、7.0 A、19 mΩ、SO-8、逻辑电平

    制造商:ON

    产品信息

    此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低 r
    和高速开关进行了优化。
    • 最大 r
    • = 23 mΩ、V
    • = 10 V、I
    • = 7 A
    • V
    • = 4.5V,ID = 6A时,最大r
    • = 30m
    • 低栅极电荷
    • 100%经过RG测试
    • 符合 AEC Q101 标准
    • 符合 RoHS 标准

    在线购买

    型号制造商描述购买
    FDS8984-F085-- 立即购买

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    SOIC8PDF80 点击下载
    N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7A, 23mΩPDF423 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SO-8 Power MOSFETsPDF354 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    FSQ211FAN7527BFSA2268TFAN2502
    FDMF5823DCFAN7083_GF085FPF2165RFGA40N65SMD
    FGA20N120FTDFSV360FPFDC6326LFIN1031
    FMS6502FGAF40N60SMDFAN48617FDC6331L
    FFSH20120ADNFAN6982FQB34P10TM_F085FSB70450
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照