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    FDB8160_F085

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     30 V、80 A、1.5 mΩ、D2PAK

    制造商:ON

    产品信息

    FDB8160_F085
    • 典型 r
    • = 1.5 mO(V
    • = 10 V、I
    • = 80 A)
    • V
    • = 10V时,典型Q
    • = 187nC
    • 低米勒电荷
    • 低 Qrr体二极管
    • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
    • 符合 AEC Q101 标准
    • 符合 RoHS 标准

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    技术资料

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    N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 80A, 1.8m-OhmPDF344 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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