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    BSP297H6327XTSA1

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    MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3

     

    产品信息

    产品种类:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技术: Si

    安装风格: SMD/SMT

    封装 / 箱体: SOT-223-3

    通道数量: 1 Channel

    晶体管极性: N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压: 200 V

    Id-连续漏极电流: 660 mA

    Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms

    Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

    Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V

    Qg-栅极电荷: 12.9 nC

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Reel

    通道模式: Enhancement

    商标: Infineon Technologies

    配置: Single

    下降时间: 19 ns

    正向跨导 - 最小值: 0.47 S

    最小工作温度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 1.8 W

    上升时间: 3.8 ns

    系列: BSP297

    工厂包装数量: 1000

    晶体管类型: 1 N-Channel

    典型关闭延迟时间: 49 ns

    典型接通延迟时间: 5.2 ns

    零件号别名: BSP297 H6327 SP001058622

    单位重量: 250.200 mg


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