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    AX20NV4G821BAI101

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    4Gbit, 2.7V – 3.6V,-40ᵒC to +85ᵒC

     

    产品信息

    爱思存储的SLC NAND闪存实现了每单元1位技术,将高性能与当今嵌入式和物联网应用所需的强大耐用性和可靠性相结合。


    爱思存储SLC NAND支持用于高性能I / O操作的行业标准ONFI 1.0接口,支持标准引脚排列,在密度范围内保持不变,无需重新设计电路板即可实现更高密度的未来升级。


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    型号制造商描述购买
    AX20NV4G821BAI101AxiaAxia Memory Technology的AX20NV1Gx是一款3.0V 1 Gbit NAND闪存,组织为2112字节×64页×1024个块。所有读取和程序操作均使用2112字节寄存器执行;允许以 2112 字节为增量将数据传入和传出内存阵列。擦除操作在单个块单元中实现(2112 字节× 64 页)。ECC 是提高数据可靠性所必需的。 立即购买

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